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  • 型号: SPB08P06P G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SPB08P06P G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPB08P06P G价格参考。InfineonSPB08P06P G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SPB08P06P G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SPB08P06P G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263MOSFET P-CH 60V 8.8A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8.8 A

Id-连续漏极电流

8.8 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPB08P06P GSIPMOS®

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/SPB08P06P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304316f66ee801178b63e22704c0

产品型号

SPB08P06P G

Pd-PowerDissipation

42 W

Pd-功率耗散

42 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

300 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

300 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

46 ns

下降时间

14 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

420pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

300 毫欧 @ 6.2A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO263-2

其它名称

SPB08P06PGINDKR

典型关闭延迟时间

48 ns

功率-最大值

42W

包装

Digi-Reel®

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.8A (Ta)

系列

SPB08P06

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SP000102179 SPB08P06PGATMA1

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